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InP基半导体外延片

● 18波10G/25G DFB激光外延片
  波长:1270nm-1610nm

★CWDM
★PON
★5G Front-Haul
★LWDW

典型技术指标(1310nm)
光栅类型:EBL/全息
阈值电流:~8mA
斜率效率:0.4mW/mA
边模抑制比:>38dB

● 50G/100G EML外延片(BH/RWG)
  波长:1310nm/1342nm/1577nm

★DATACOM
★GPON

典型技术指标(1342nm EML)
阈值电流:~20mA
边模抑制比:>38dB
3dB带宽:45GHz@45°C

● 硅光用大功率连续波 DFB 激光外延片(BH/RWG)

波长:1310nm/1550nm

★DATACOM

典型技术指标
光栅类型:EBL/全息
阈值电流:~20mA
峰值功率:>100mW

● 10G/25G/50G/100G APD/PIN外延片

★DATACOM
★PON
★WIRELESS

典型技术指标
响应度:>0.9A/W
暗电流:<0.1nA
带宽:满足要求

● PIN外延片

★IAMAGING
★SENSING

典型技术指标
暗电流:<10fA

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